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辐射装置和发射冷却装置.pdfVIP

辐射装置和发射冷却装置.pdf

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    本实施例涉及具有用于将热能选择性地转换为电磁波的结构的辐射装置等。辐射装置包括导体层，半导体层和多个导体盘。多个导体盘布置在半导体层上，使得在具有矩形形状且边为4.5至5.5μm的多个单元构成区域中的每个中构成相同的布置图案。各个单元部件的布置图案包括对应于3×3矩阵的九个导体盘，并且九个导体盘包括直径彼此不同的四种或更多种的导体盘。结果，在半导体层上形成布置图案的二维周期性结构。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112513690 B (45)授权公告日 2022.08.12 (21)申请号 201880095990.8 (72)发明人 井上武　金森弘雄　大塚节文　

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