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本申请公开了一种存储器、存储器的写入方法和读取方法。其中，存储器包括自旋轨道矩提供层、两个存储位元、两个二极管、第一位线、第二位线、字线、源线和晶体管，其中，自旋轨道矩提供层的一端与第一位线连接，自旋轨道矩提供层的另一端与晶体管连接，且晶体管分别与字线和源线连接，两个存储位元间隔地设置在自旋轨道矩提供层的表面上，存储位元远离自旋轨道矩提供层的一端与二极管的第一端一一对应地串联，与两个存储位元连接的二极管的第一端对应的电极正负不同，二极管的第二端分别与第二位线连接。本申请解决了相关技术中存储器的存
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112542190 A
(43)申请公布日
2021.03.23
(21)申请号 20191
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