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本发明涉及一种氮化硅陶瓷覆铜基板及其制备方法。该氮化硅陶瓷覆铜基板包括:氮化硅陶瓷基板和覆接于所述氮化硅陶瓷基板至少一个表面上的铜层;所述氮化硅陶瓷基板和所述铜层之间形成有界面结合层;所述界面结合层包括依次叠加的氧化硅层、X1氧化物层、M层;所述氧化硅层与所述氮化硅陶瓷基板接触;所述X1氧化物层含有活性金属氧化物;所述M层含有CuCr2O4、CuMn2O4和CuFe2O4中的一种或多种。该氮化硅陶瓷覆铜基板中的界面结合层能提高铜层和氮化硅陶瓷基板间的结合强度,且氮化硅陶瓷覆铜基板的生产成本低。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112552070 B
(45)授权公告日 2022.03.18
(21)申请号 201910917332.9 (56)对比文件
(22)申请日 2019.09.26
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