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SCHMID制绒培训讲义第1页/共92页 2制绒基础知识一、制绒流程和原理二、设备操作安全三、化学药品的安全及和急救措施四、安 全 设 施操 作 控 制 系 统六、 机器操作七、零件名称与符号八、设备维修计划第2页/共92页 3一．工艺流程硅片装载——刻蚀制绒——清洗——碱洗中和——清洗——疏水——清洗——烘干——硅片卸载目的：1.去除硅片表面损伤层2.硅片表面被加工形成均匀有规则的绒面（降低光的反射率）第3页/共92页 4 在这台设备我们首先应该了解什么叫制绒，所谓制绒就是把切下表面不规则锯齿型硅片，通过某种生产工艺使硅片表面加工成均匀有规则的绒面（降低光的反射率），使它成为我们制造电池所需要的表面结构。目的是获得表面结构完全相同结构（凹陷的底、顶）0.01mm适合的原则。第4页/共92页 5 硅片表面绒面化 由于硅片用P型硅片，可利用酸性溶液对硅片进行各向同性腐蚀的特点来制备绒面。可以得到整齐均匀的凹陷组成的绒面。绒面具有受光面积大，反射率低的特点。可提高单晶硅太阳电池的短路电流，从而提高太阳电池的光电转换效率。 第5页/共92页 6 硅片表面绒面受光面积：（绒面金字塔形的理解计算） 金字塔形角锥体的表面积S0等于四个边长为a正三角形S之和 由此可见有绒面的受光面积比光面提高了倍即1.732倍。第6页/共92页 7 硅片表面绒面反射率： 当一束强度为E0的光投射到图中的A点，产生反射光Φ1和进入硅中的折射光Φ2。反射光Φ1可以继续投射到另一方锥的B点，产生二次反射光Φ3和进入半导体的折射光Φ4；而对光面电池就不产生这第二次的入射。经计算可知还有11%的二次反射光可能进行第三次反射和折射，由此可算得绒面的反射率为9.04%。第7页/共92页 8 硅片表面酸制绒反应机理： HNO3给硅表面提供空穴，打破了硅表面的Si-H键，使Si氧化成SiO2,然后HF溶解SiO2，并生成络合物H2SiF6.从而导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，形成粗糙的多孔硅层。有利于减少光反射，增强光吸收。 3Si+4HNO3+18HF 3H2SiF6+4NO+8H2O 基本反应式：第8页/共92页 9硅片沉浸在酸溶液浴槽里，表面刻蚀掉0.001mm第9页/共92页 10在这个生产工艺过程中按照工作区域可分为9个模组(M1—M9)。第10页/共92页 11 M1和M9模组为硅片输送与跟踪监测，它安装几个监测用的传感器和一个脉冲传感器。其中监测传感器能够正确反应电池片是否到达，在进口处安装一个监测气体浓度传感器，它是用来监测酸的挥发气体是否超标，预防操作人员受到伤害。脉冲发生器是记录传送多长距离。1mm=1脉冲机器通过传感器和脉冲发生器的信息PLC可准确电池片的位置。总之监测传感器和脉冲传感器都可以用来监测硅片的数量。硅片可以通过传送轮导向机构进行规正。第11页/共92页 12M1——M9传送系统是通过驱动电机带动从动轮上的齿轮传递的，由于齿轮传动比稳定可靠，因此设备采用齿轮传送。第12页/共92页 13M1——M9硅片是通过定中心滚轮、传送轮、定位轮传送的。第13页/共92页 14M2——M8都有自己的排风装置。(如图所示）第14页/共92页 15其中各个单元内部都有自己的排风设施。其中包括药槽内部、工作药槽内部、单元部分（如图所示）。第15页/共92页 16M2用制成的HF-HNO3药液沉浸硅片进行硅片刻蚀。 第16页/共92页 17第17页/共92页 18 M3清洗硅片,在清洗过程中 ，三个缸的水位是不同的，其中硅片进入第一个槽时，清洗所使用的水是不纯净的，当硅片进入水第三液时这时才是纯净水，这种设计的目的就是节约用水。M5 、 M7清洗硅片与M3功能相同。第18页/共92页 19硅片在清洗单元中过程是：清洗---吸吮（特制海绵滚轮）---吹干。第19页/共92页 20 M4用制成的KOH药液沉浸硅片，其目的进行多孔硅表面处理和抛光，其中药液的浓度是通过电导率控制（KOH电离浓度）。第20页/共92页 21第21页/共92页 22M6硅片在制成的HF和HCI溶液进行疏水（中和去除金属离子）,其中HCl是去除金属离子，HF起疏水作用。第22页/共92页 23 M8硅片烘干处理,它是通过两台空气压缩泵，通过两次过滤（粗过滤、细过滤），最终送到两组风刀中对硅片进行烘干，空气最终温度可达到40度，它的工作原理是一个物理变化过程，就是气体分子之间的距离由小变大的过程，也就是一个散热的过程。第23页/共92页 24最后我们还要对硅片进行检测，不符合要求的硅片剔除，检测方式有倒影的测量、显微镜观测硅片表面的结构、称重。第24页/共92页 25