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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

半导体器件及其制造方法.pdf

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    半导体器件包括衬底、至少一个第一隔离结构、至少两个第二隔离结构和外延结构。衬底中具有多个半导体鳍。第一隔离结构设置在半导体鳍之间。半导体鳍设置在第二隔离结构之间，并且第二隔离结构比第一隔离结构更多地延伸进衬底中。外延结构设置在半导体鳍上。在第一隔离结构与外延结构之间存在至少一个空隙。本发明还提供了半导体器件的制造方法。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112530943 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202011400802.3 H01L 21/8234 (2006.01) (22)申请日

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