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2023-06-01 发布于四川
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一种套刻标记及对准误差的测量方法.pdf

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本申请公开了一种套刻标记及对准误差的测量方法。套刻标记位于基底中，包括第一标识和第二标识；第一标识和第二标识分别位于基底不同的层，和/或，第一标识和第二标识在不同工艺过程中形成。第一标识和第二标识均包含特征结构，特征结构具有特征点。第一标识与第二标识的投影平面为基底的表面，在特征点处沿任一方向，特征结构具有不连续性。第一标识的特征点的信息和第二标识的特征点的信息用于进行对准误差测量。由于特征点不易受到光照不均匀性的影响以及旋转、平移和膨胀等操作的影响，因此以第一标识的特征点的信息和第二标识的特征

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112542396 A (43)申请公布日 2021.03.23 (21)申请号 202010614218.1 (22)申请日 2020.06.30 (71)申请人深圳中科飞测科技股份有限公司

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