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2023-06-01 发布于四川
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超高真空碳化硅原料合成炉系统.pdf

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本发明公开一种超高真空碳化硅原料合成炉系统，涉及碳化硅合成技术领域，由其制备的高纯碳化硅粉体原料能够广泛用于半导体碳化硅单晶体的生长及高纯碳化硅陶瓷样品的制备。本发明所述的超高真空碳化硅原料合成炉系统中，炉室为圆筒形立式双层水冷结构，炉室上安装炉盖，炉盖为双层水冷结构，红外测温组件位于炉盖顶端，炉盖可由电动升降机实现升降并旋开；炉室通过闸板阀、泵抽弯管与分子泵连接，组成系统主抽管路，炉室通过角阀、波纹管与机械泵相连，组成系统旁抽管路；样品支撑机构与炉室底盘固定，感应加热组件、测量组件分别与炉室侧

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112516916 A (43)申请公布日 2021.03.19 (21)申请号 202011438043.X C30B 29/36 (2006.01)

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