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本发明涉及一种无源空腔型单晶FBAR与有源GaNHEMT的单片异质异构集成结构，其包括支撑衬底、键合黏附层、已减薄的外延衬底、位于已减薄的外延衬底上GaNHEMT器件、位于支撑衬底上的空腔型单晶FBAR器件以及FBAR与GaNHEMT器件之间的互联金属。本发明通过单片异质异构集成的方式，提高了集成芯片的可靠性、功率容量和集成度，可用于实现FBAR与GaNHEMT单片集成的超低相振荡芯片、实现FBAR滤波器和GaN基功率放大器的单片集成放大器芯片，进而实现单片集成的射频前端芯片，从而提升射
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112542482 A
(43)申请公布日 2021.03.23
(21)申请号 202011392822.0
(22)申请日 2020.12.02
(71)申请人 海宁波恩斯坦生物科技有限公司
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