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一种半导体器件及形成方法.pdfVIP

一种半导体器件及形成方法.pdf

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    本发明实施例提供了一种半导体器件及形成方法。在本发明实施例中，通过形成下端两侧向内凹陷的弧形的鳍部，使鳍部的下端尺寸小于上端的尺寸，使得半导体器件在导通的过程中，鳍部上的电流能够均匀分布，避免形成漏电流。同时，弧形的鳍部能够增大相邻鳍部之间的距离，从而使非沟道区的面积增大，能够避免在鳍部之间形成电流，进一步的减少了漏电流。因此，能够提高半导体器件的可靠性。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112563199 A (43)申请公布日 2021.03.26 (21)申请号 20191

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