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实施方式提供高品质的半导体装置。实施方式的半导体装置包含串联连接在输入端与输出端之间的多个晶体管。所述多个晶体管包含：第一晶体管，具有用于所述串联连接的第一端及第二端；以及第二晶体管，具有用于所述串联连接的第三端及第四端、第一栅极以及第一基体。所述第三端与所述第二端连接。所述半导体装置包含串联连接于所述第一基体与所述第一端之间的第三晶体管及第1二极管。所述第三晶体管具有与所述第一栅极连接的第二栅极。所述第1二极管的阳极设置于所述第一基体以及所述第一端中的所述第一基体侧，所述第1二极管的阴极设置于
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116192112 A
(43)申请公布日 2023.05.30
(21)申请号 202210974231.7
(22)申请日 2022.08.15
(30)优先权数据
2021-193171 202
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