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一种氢同位素结晶生长高度实时测量装置及方法.pdfVIP

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  • 2023-06-02 发布于四川
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一种氢同位素结晶生长高度实时测量装置及方法.pdf

    本发明公开了一种氢同位素结晶生长高度实时测量装置及方法，其中，测量方法包括：(1)在氢同位素结晶生长最初阶段，控制电动五维调整架进行Z方向调节完成对焦，并控制电动五维调整架在XY平面内移动，直到所需观察记录的区域位于系统视场中心为止；(2)通过电动五维调整架调整干涉测量系统的角度，得到合适的干涉图像；在开始监控之前，选择结晶初始位置背景上一点作为参考点，用于区域分割的基准，设定好监控时间间隔后，开始进行测量；(3)在监控时间节点，使用同步移相干涉测量方法，实时精确地计算出该时刻监控点的相位ΔΦ(

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112577433 B (45)授权公告日 2021.09.28 (21)申请号 202011217049.4 G01N 21/45 (2006.01) (22)申请日

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