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PAGE PAGE 4 湖南对口招生职业中专电子技术基础复习题总汇 第一章 复习题 一、填空 1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 （ 五） 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 （ 自由电子 ） 。 2、PN 结正向偏置时，内、外电场方向（ 相反）。 3、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的 （ R×1k ）档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 （ 阴 ） 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明 该二极管已经 老化不通。 4、双极型三极管内部有基区、发射区和集电区，有 （ 发射） 结和 ( 集电) 结及向外引出的三个铝电极。 5、二极管的伏安特性曲线上可分为 ( 死 ) 区、正向导通 区、 (反向截止) 区和（反向击穿 ） 区四个工作区。 6、双极型三极管简称晶体管，属于（ 电流） 控制型器件，单极型三极管称为MOS 管，属于 （电压 ） 控制型器件。MOS 管只有 （ 多数）流子构成导 通电流。 二、判断 1、P 型半导体中空穴多于自由电子，说明 P 型半导体带正电.。 （ × ） 2、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。 （ × ） 3、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。 （ × ） 4、只