1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

基于氧化物半导体的铁电存储器.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.55万字
  • 约 13页
  • 2023-06-02 发布于四川
  • 举报

基于氧化物半导体的铁电存储器.pdf

    本发明公开一种基于氧化物半导体的铁电存储器，其包含一基底、一写入电极设置在该基底上、一铁电介电层设置在该写入电极上、一氧化物半导体层设置在该铁电介电层上、一源极与一漏极分别设置在该氧化物半导体层上并且相隔一预定距离，其中该源极与该漏极还分别连接到一金属板线与一位线、一栅绝缘层设置在该源极、该漏极以及该氧化物半导体层上、以及一字符线，设置在该栅绝缘层上，其中该字符线、该氧化物半导体层、该铁电介电层以及该写入电极在垂直该基底的方向上彼此重叠。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115802760 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202111119874.5 (22)申请日 2021.09.24 (30)优先权数据 110133488 2021.

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >