用于基于UV抑制等离子体不稳定性的系统和方法.pdfVIP

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2023-06-02 发布于四川
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用于基于UV抑制等离子体不稳定性的系统和方法.pdf

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本发明涉及用于基于UV抑制等离子体不稳定性的系统和方法。将衬底定位成暴露于等离子体处理室内的等离子体产生区域。在所述等离子体产生区域内产生第一等离子体。所述第一等离子体被配置为致使膜沉积在所述衬底上直到沉积在所述衬底上的所述膜达到阈值膜厚度。然后所述衬底暴露于紫外辐射以消除沉积在所述衬底上的所述膜内的缺陷。可以使用构造成产生紫外线辐射的第二等离子体或者使用设置成暴露于等离子体产生区域中的紫外辐射设备来原位提供紫外线辐射。也可以通过将衬底移动到与等离子体处理室分离的紫外辐射设备来非原位地提供紫外辐

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112599406 A (43)申请公布日 2021.04.02 (21)申请号 202011189122.1 C23C 16/48 (2006.01)