模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析.pdf

模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析--第1页 1半导体二极管 自我检测题 一.选择和填空 1.纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺 入五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2 .在本征半导体中，空穴浓度 _C_电子浓度；在 N型半导体中，空穴浓度 _B_电子 浓度；在 P型半导体中，空穴浓度 _A_电子浓度。 （A.大于，B.小于，C.等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 _C_ ,而少数载流子的浓度与 _A_关 系十分 密切。 （A.温度，B.掺杂工艺，C.杂质浓度） 4. 当 PN结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ;当 PN结外加反 向电压时，扩 散电流_B_漂移电流，耗尽层 D。 （A.大于，B.小于，C.等于，D.变宽，E.变窄，F不变） 5.二极管实际就是一个 PN结，PN结具有 单向导电性，即处于正向偏置时，处于 导通 状 态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6.普通小功率硅二极管的正向导通压降约为 _B_，反向电流一般_C_;普通小功率锗二 极管的正向导通压降约为 A，反向电流一般 D。 口 口 （A. 0.1 0.3V，B. 0.6 0.8V，C.小于 1 A，D.大于 1 A ） 7 已知某二极管在温度为 25 时的伏安特性如图选择题 7中实线所示，在温度为 T C 1 时的伏安特性如图中虚线所示。在 25 时，该二极管的死区电压为 0.5伏，反向击穿电 C 模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析--第1页 模拟电子技术基础[李国丽]第一章习题答案解析--第2页 压为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度 T i 小于 25 C。（大于、小于、等于） 图选择题 7 v 8 PN 结的特性方程是 i ls （eVT 1）。普通二极管工作在特性曲线的 正向区；稳 压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二.判断题（正确的在括号画 V,错误的画 X） 1 N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 （ ） X 2 .在 P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为 N 型半导体。 （ ） V 3 . P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 （ ）