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本发明公开一种真空微波精炼工业硅制备6N多晶硅的方法及装置，将工业硅熔体流入一次氧化精炼炉中，通入混合气体Ⅰ，加入SiO2粉进行一次氧化精炼，再流入二次氧化精炼炉中，抽真空，通入混合气体Ⅱ，加入SiO2粉进行二次氧化精炼后，流入定向凝固坩埚中进行一次真空蒸发和定向凝固精炼，再升温进行二次真空蒸发精炼，冷却后取出硅锭，去头尾及边，破碎和筛分后装入反应器，抽真空，分别通入氩气和混合气体Ⅲ，进行微波等离子体真空蒸发和氧化挥发精炼，得到纯度不小于6N的多晶硅，硼、磷和铁等金属杂质均低于0.1ppm，电阻
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112624122 B
(45)授权公告日 2022.06.14
(21)申请号 202110039307.2 (56)对比文件
(22)申请日 2021.01.12
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