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- 2023-06-03 发布于四川
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本发明公开了一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构,属于MEMS器件的封装技术领域。所述MEMS器件的晶圆级封装方法包括,硅本体的端面上设有氧化硅层,在氧化硅层的端面上设置第一金属层,第一金属层设置在载体上;沿第二预设区的外周去除硅本体及氧化硅层的材料,使第一金属层背离载体的端面露出;在第三预设区设置第二金属层,第二金属层与第一金属层接触连接;MEMS晶圆与第二金属层粘接;去除载体,ASIC芯片与第一金属层粘接,在第一金属层上焊锡。所述MEMS器件的晶圆级封装结构通过上述的封装方法制成
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112624035 A
(43)申请公布日 2021.04.09
(21)申请号 202011612118.1
(22)申请日 2020.12.30
(71)申请人 苏州
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