一种堆叠结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-03 发布于四川
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一种堆叠结构及其制备方法.pdf

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本申请公开了一种堆叠结构及其制备方法，其中，所述堆叠结构包括交替堆叠设置的氮化物层和氧化物层，所述氮化物层至少包括部分掺氧氮化物层，且所述掺氧氮化物层与位于所述氮化物层背离所述衬底一侧的氧化物层毗邻，如此设置的掺氧氮化物层可以在刻蚀过程中起到缓冲作用，避免了刻蚀工艺在从氧化物层刻蚀到氮化物层时，由于驱动方式突变而造成的氮化物层损毁或缺陷的问题，提升了基于所述堆叠结构制备的三维NAND存储器的电学性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112635475 A (43)申请公布日 2021.04.09 (21)申请号 202011504926.6 H01L 21/02 (2006.01) (22)申请日 2