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具有完全金属硅化层栅极的器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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具有完全金属硅化层栅极的器件及其制造方法.pdf

    本发明涉及一种具有完全金属硅化层栅极的器件及其制造方法，属于半导体技术领域。该器件具有两个多晶硅区域，其中一个为多晶硅栅极，另一个多晶硅区域为虚拟多晶硅区域(Dummy)，器件顶部的硅化物与非硅化物的边界形成于该新增的虚拟多晶硅区域(Dummy)之上，从而确保作为栅极的多晶硅区域顶部表面完全硅化，由此使得栅极电阻Rg更小，且不受光刻工具覆盖位置变动的影响，使栅极电阻Rg稳定，尤其是随着栅极尺寸变小，由于光刻工具覆盖位置变动造成的Rg的变化占整个Rg的比例会更大，这项发明会进一步保证器件的整体性能

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112652665 A (43)申请公布日 2021.04.13 (21)申请号 202011527731.3 (22)申请日 2020.12.22 (71)申请人 时磊 地址 2016

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