一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺.pdf

本发明公开了一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺,所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2),在第一硅片(1)上设置有用于检测二维磁场的四个硅磁敏三极管,其中两个硅磁敏三极管在xy平面内沿y轴、相反磁敏感方向对称设置,用于x轴方向磁场分量的检测,另两个硅磁敏三极管在xy平面内沿x轴、相反磁敏感方向对称设置,用于y轴方向磁场分量的检测;并且,在第一硅片上、每个硅磁敏三极管周围制作有隔离环(11)。所述制作工艺结合微电子机械加工技术和双极型工艺,实现了所述单片集成化传感器芯片的工艺制作。本发明所

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107356885 A (43)申请公布日 2017.11.17 (21)申请号 20171

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