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本发明属于涂层制备领域，具体涉及到一种在单晶硅或多晶硅上制备碳化硅复合涂层的化学气相沉积方法。采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)系统，选择液体原料六甲基二硅烷(HMDS)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)、H2和Ar气体体系，工作压强为10～1000Pa，温度为900～1350℃。沉积涂层之前，先对单晶硅或多晶硅基体进行预处理，形成一层多孔硅层，之后在多孔硅层上沉积涂层，复合涂层由Si基体开始依次为多孔硅层、缓冲层、SiOC层和纯SiC层。采用本发明方法沉积的碳化硅复合涂层具有结构致密、无
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112647055 B
(45)授权公告日 2021.09.24
(21)申请号 202011269920.5 C23C 16/30 (2006.01)
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