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结型场效应晶体管第1页/共22页 6.1 JEFT的概念6.2 器件的特性6.3 非理想因素第六章 结型场效应晶体管第2页/共22页 BJTFET电流控制器件电压控制器件双极器件单极器件依靠少子工作,噪声大依靠多子工作,噪声低输入阻抗低输入阻抗高,利于直接耦合,输入功耗小温度稳定性差温度稳定性好,具有零或负的温度系数工艺较复杂,集成度低制造工艺较BJT简单,EMOS有天然的隔离,集成度高第3页/共22页 6.1.1 pn JFET的基本结构第4页/共22页 第5页/共22页 第6页/共22页 6.2 器件的特性第7页/共22页 6.2.1 内建夹断电压、夹断电压和漏源饱和电压内建夹断电压：夹断电压：第8页/共22页 第9页/共22页 第10页/共22页 耗尽层宽度：第11页/共22页 y处电流第12页/共22页 第13页/共22页 均匀分布情况第14页/共22页 6.2.3 MESFET基本结构第15页/共22页 MESFET工作原理E型MESFET开启电压第16页/共22页 6.3 非理想因素6.3.1 沟道长度调制效应第17页/共22页 第18页/共22页 其中，沟长调制系数6.3.2 速度饱和效应第19页/共22页 6.3.3 亚阈值电流亚阈值电流主要是扩散电流第20页/共22页 第21页/共22页 感谢您的欣赏第22页/共22页