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- 2023-06-03 发布于四川
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本发明公开了一种提高斜面刻蚀良率的方法，属于半导体制造技术领域，所述提高斜面刻蚀良率的方法，包括以下步骤：步骤一：提供一带膜层的晶圆；步骤二：旋转所述晶圆，对以晶圆中心为圆心、不大于晶圆半径80%以内的膜层喷去离子水形成水性保护膜；步骤三：对所述晶圆边缘区域的膜层喷化学溶液进行刻蚀，直至晶圆边缘区域的膜层被刻蚀干净。本发明提供的提高斜面刻蚀良率的方法，能够减少对晶圆边缘区域的膜层进行斜面刻蚀时，化学溶液反溅对晶圆中心区域膜层的损坏，从而提高斜面刻蚀后的晶圆良率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112652530 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202011531146.0
(22)申请日 2020.12.22
(66)本国优先权数据
2020114
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