原创力文档- 0
- 0
- 约6.71千字
- 约 6页
- 2023-06-03 发布于四川
- 举报
本发明提供一种氮化镓异质结二极管制备方法及二极管，其制备方法包括以下步骤：制备一二氧化硅‑氮化镓‑氮化镓铝外延片衬底，依次淀积氮化铝层和二氧化硅层；曝光刻蚀氮化铝层和二氧化硅层，露出二维电子气的位置；内镀上一层二氧化硅层；曝光刻蚀露出氮化镓铝层，形成源极孔和漏极孔；沉积一复合金属钛铝镍金层；曝光刻蚀掉步骤S10中的二氧化硅层，露出氮化铝层形成一个栅极引线孔，淀积一铝层，形成氮化镓器件的异质结；顶部镀上一层二氧化硅层作为绝缘层，并曝光刻蚀该二氧化硅层露出源极孔和漏极孔；沉积一铝层，形成氮化镓异质结
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112652535 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202011532080.7
(22)申请日 2020.12.22
(71)申请人 深圳市美浦森半导体有限公司
文档评论（0）