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垂直鳍式场效晶体管及其制造方法与具有其的半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-06-03 发布于四川
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垂直鳍式场效晶体管及其制造方法与具有其的半导体装置.pdf

    本发明提供一种垂直鳍式场效晶体管(V‑FinFET)及其制造方法与具有其的半导体装置如下。衬底具有下部源极/漏极(S/D)。鳍式结构从下部源极/漏极的上表面垂直地延伸。鳍式结构包含具有上侧壁部分、下侧壁部分以及位于其间的中心侧壁部分的侧壁。上部S/D安置于鳍式结构的上表面上。上部间隔物安置于上侧壁部分上。下部间隔物安置于下侧壁部分上。包含栅氧化物层以及第一栅电极的堆叠结构安置于下部间隔物的上表面、中心侧壁部分以及上部间隔物的下表面上。第二栅电极安置于第一栅电极上。所述垂直鳍式场效晶体管可减小泄漏

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 107527909 A (43)申请公布日 2017.12.29 (21)申请号 20171

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