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本申请案涉及存储器阵列及形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，方法包括形成包括垂直交替第一层及第二层的堆叠。使水平伸长沟槽形成到堆叠中以形成横向间隔存储器块区域。跨横向地在存储器块区域中的横向紧邻者之间且纵向地沿着横向紧邻者的沟槽形成桥材料。桥材料包括纵向交替第一及第二区域。使桥材料的第一区域不同于桥材料的第二区域而离子植入以在蚀刻过程中改变第一或第二区域中的一者相对于另一者的相对蚀刻速率。使第一及第二区域经受蚀刻过程以相对于第一及第二区域中的一者选择性地蚀除另一者以形成跨横向地在横向紧邻存储
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112652627 A
(43)申请公布日 2021.04.13
(21)申请号 202011050056.X H01L 27/11578 (2017.01)
(22)申请日
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