准一维ZnO纳米材料的力光电耦合性能研究.docx

准一维ZnO纳米材料的力光电耦合性能研究 一、绪论 一维纳米材料具有优异的力光电耦合性能，对于构建新型的纳米电子器件具有十分重要的意义。ZnO作为一种热稳定性和光电性能较好的材料，广泛应用于薄膜太阳能电池、透明导电膜和紫外探测器等领域。本文研究了准一维ZnO纳米材料的力、光、电联系，为进一步优化ZnO纳米材料的性能和构建新型的电子器件提供理论依据。 二、ZnO纳米材料的制备 本研究采用水热法制备ZnO纳米材料，具体步骤如下： 1.将0.2mol的Zn(NO3)2?6H2O和1mol/L的NaOH溶液混合，搅拌均匀。 2.将混合后的溶液转移到Teflon反应釜中，在160℃下反应12h。 3.将反应产物用去离子水洗涤至中性，放置干燥。 通过扫描电子显微镜(SEM)观察，得到准一维的ZnO纳米材料，其直径约为50-100nm，长度约为2-5μm。 三、力学特性的研究 本研究采用原子力显微镜(AFM)对准一维ZnO纳米材料的力学特性进行研究。实验发现，准一维ZnO纳米材料表现出较大的弹性应变和断裂强度，这一特性与其长条状结构有关。长条状结构使得纳米材料在外力作用下发生横向弯曲，而不是塑性变形或纵向断裂。同时，纳米材料的断裂强度也受到其表面能的影响，表面能越大，断裂强度越小。因此，对于准一维ZnO纳米材料的应用，需要注意选择表面能较小的方式进行处理。 四、光学特性的研究 本研究利用紫外-可见分光光度计研究准一维ZnO纳米材料的光学特性。实验表明，准一维ZnO纳米材料呈现出明显的紫外吸收峰和可见光吸收窗口，其吸收峰由表面缺陷、杂质和激子吸收共同导致。由于表面缺陷、杂质和激子等造成的吸收峰与材料对光的散射作用相互作用，因此准一维ZnO纳米材料的散射系数很高，具有良好的散射性能。 五、电学特性的研究 本研究采用场发射仪对准一维ZnO纳米材料的电学特性进行研究。实验发现，准一维ZnO纳米材料表现出优异的场发射性能，其场发射起始电压为1.5V，发射电流密度达到1μA/cm2，相比于传统的铜栅板场发射器具有明显的优势。优异的场发射性能与准一维结构的几何形状和材料的导电性质有关。 综上所述，准一维ZnO纳米材料具有良好的力、光、电耦合性能，是构建新型纳米电子器件的理想材料之一。未来的研究可以进一步探究准一维ZnO纳米材料的电子输运性质和感知性能，以期实现其应用于传感器、信息存储等领域。