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- 2023-06-04 发布于四川
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本发明公开了一种IGBT器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成深沟槽以及浅沟槽，所述深沟槽的线宽大于所述浅沟槽的线宽；形成覆盖所述半导体衬底的栅极介电层，所述深沟槽和所述浅沟槽的底部和侧壁上均形成有所述栅极介电层；形成覆盖所述半导体衬底的栅极材料层，以在所述深沟槽和所述浅沟槽中填充栅极材料；回刻蚀所述栅极材料层，以在所述深沟槽中形成栅极，在所述浅沟槽内侧壁上形成虚拟栅极。根据本发明提供的IGBT器件及其制造方法，与传统IGBT器件的发射极相比，沟槽深度减小且沟槽数
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115763248 A
(43)申请公布日 2023.03.07
(21)申请号 202211597998.9 H01L 21/768 (2006.01)
(22)申请日 2022.12
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