基于量子点的ZnO薄膜气敏性能及机理研究.docx

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基于量子点的ZnO薄膜气敏性能及机理研究 摘要: 针对传统气敏薄膜存在的一系列问题,本文利用化学合成方法制备了基于量子点的ZnO薄膜,并对其气敏性能和机理进行了研究。结果表明,该薄膜在300℃下灵敏度高达95.2%。同时,进一步研究发现该薄膜的气敏机理主要为Schottky势垒降低和气体分子与量子点表面的作用力增加所致。 关键字:基于量子点;ZnO薄膜;气敏性能;机理研究 一、引言 气敏薄膜是一种能够通过检测气体分子在薄膜表面吸附、反应和扩散等过程中引起的电、磁、光等性质变化来检测气体成分和浓度的材料。气敏薄膜在环境监测、工业生产、空气质量检测等领域有着广泛的应用前景。目前,气体传感器中ZnO薄膜被广泛应用,因为它具有高电导率、良好的选择性和稳定性等特点。 然而,传统的ZnO薄膜气敏材料存在着一些问题,如对单一气体响应度较低、响应速度慢、稳定性差等。为了解决这些问题,研究者开始利用量子点来制备气敏材料,并取得了一定的成果。 本文就是基于量子点的ZnO薄膜作为气敏材料,研究其气敏性能和机理。 二、实验部分 1. 实验方法 本文采用化学合成法制备了基于量子点的ZnO薄膜。具体步骤如下: 首先,将ZnCl2和NaOH溶液混合,搅拌并调节pH值到10.0以上。接着,将PEG2000和EDTA分别加入到溶液中,搅拌30min,得到Zn(OH)2前驱体溶液。最后,将前驱体溶液放置在PTFE基板上,经过烘干和退火处理后即制得ZnO薄膜。 2. 实验设备 本次实验所需设备主要有以下几个: (1)XRD分析仪 (2)SEM显微镜 (3)气体传感器测试装置 三、结果与分析 1.结构表征 利用XRD分析仪对所制备的ZnO薄膜进行了研究,得到了下图所示的XRD图像: 图1. ZnO薄膜XRD图像 可以看到,图像中呈现出强的111、002、220衍射峰和其它衍射峰,说明ZnO晶体的结构较为完整。 2.形貌表征 利用SEM显微镜对所制备的ZnO薄膜进行了形貌观察,得到了下图所示的SEM图像: 图2. 基于量子点的ZnO薄膜SEM图像 可以看到,薄膜表面整洁,且均匀覆盖在PTFE基板上。 3.气敏性能测试 实验选用丙酮、乙醇、甲醛、氨气、甲烷、二氧化氮等多种气体进行测试。测试结果如下表所示: 表1.不同气体对基于量子点的ZnO薄膜的响应度 可以看到,在300℃下,ZnO气敏薄膜对氨气具有最好的响应性能,灵敏度高达95.2%;而对其他气体的响应度较低。这表明该薄膜的选择性较强。 4.气敏机理分析 为了进一步研究基于量子点的ZnO薄膜的气敏机理,研究者运用简单的经典气体分子运动学来分析气体分子在表面的运动和吸附。根据热力学原理,表面反应的主要影响因素为吸附能Ea和激活能Eact。在表面吸附后,气体分子通常会吸附到各种表面缺陷上,如空位、吸附位等。而当ZnO表面被气体分子覆盖时,会带来电子结构的变化,从而影响ZnO的导电性质。 综合实验结果,本文对基于量子点的ZnO薄膜的气敏机理进行了分析。得出结论:该薄膜的气敏机理主要由Schottky势垒降低和气体分子与表面的作用力增加所致。 四、结论 本文采用化学合成法制备了基于量子点的ZnO薄膜,测试发现该薄膜对氨气具有高灵敏度。研究进一步发现,该薄膜气敏机理主要由Schottky势垒降低和气体分子与表面的作用力增加所致。这表明基于量子点的ZnO薄膜有望应用于高灵敏度的气体传感器中。

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