原创力文档- 19
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- 2023-06-04 发布于四川
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本发明涉及栅极的制造方法，涉及半导体集成电路制造技术，利用ISO区域loading效应，采用降低光刻胶的厚度，如此ISO区域光刻胶降低的速率也会相应较慢以达到减小不同区域光刻胶厚度差异的效果；并且由于光刻胶减薄，EB1去除多晶硅栅顶层光刻胶的干刻程式强度也可以相应减小，那么ISO区域EB1时可以消耗更少的光刻胶，以便增加后续EB2的defectwindow，而弥补干刻工艺过程中OXresidue与SiGefilmdamage工艺窗口不足的问题，而达到改善HK28光刻胶回刻流程干刻工艺后缺
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112701034 A
(43)申请公布日 2021.04.23
(21)申请号 202011561763.5
(22)申请日 2020.12.25
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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