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BN粒子的生长机理及BN新型易切 一、BN粒子的生长机理 氮化硼（BN）是一种特殊的化合物，它既有高硬度、高热导率和高化学稳定性等优异的机械和物理性能，又具有良好的导电和导热性能，因此被广泛应用于高温、高压、高速切削等领域。而BN粉体作为BN制品的原材料，则是一个关键的因素。因此，了解BN粒子的生长机理，对于控制BN粉体性能和开发高性能BN制品具有重要的意义。 BN的生长机理主要有两种：一种是热导和传质机理，也称为扩散机制；另一种是宏观生长机理，也称为湍流机制。 1. 热导和传质机理 热导和传质机理是指固定相BN晶体在气相中生长的机制。在这种机制下，BN生长过程可以被分为以下几个步骤： （1）气相原子分解成原子或分子，被吸附在BN表面。 （2）吸附的分子在BN表面弥散，从表面向内扩散，被固定在晶格点上。 （3）在生长过程中，吸附在表面的原子和分子会不断地被弥散到晶体内部，并与晶体内已经存在的原子和分子结合形成新的晶体。 这种生长机理的优点是，能够获得高纯度的BN粉体，并且可以通过改变气相组成控制颗粒形态和尺寸。但是这种机理也存在一些缺点，例如生长速度较慢、精度受到温度、气压等因素影响、易受空气污染等。 2. 宏观生长机理 宏观生长机理是指在固体相中，通过不同的物理或化学过程来生长BN晶体的机制。在这种机制下，BN生长过程可以被分为以下几个步骤： （1）在晶体表面和晶格缺陷处，产生化学反应或物理作用，如吸附反应、插层反应等。 （2）在晶表或晶格缺陷处形成原始核心，从而形成晶体。 （3）晶体在生长过程中，原始核心会吸收周围的氮和硼原子，通过层层堆积来扩大晶体大小。 这种机理的优点是，BN生长速度快、适合大规模生产，同时可以生长出不同形状和尺寸的BN晶体。但是这种机理也存在一些缺点，例如晶体纯度难以控制、颗粒形态较难控制、有可能存在晶格缺陷等。 二、BN新型易切 BN新型易切是一种高性能的刀具材料，它具有优异的耐磨性、耐高温性、硬度高、化学稳定性好等特点。BN新型易切主要由BN和钴基合金组成，其中BN粉体是制备BN新型易切的关键材料。 目前，BN新型易切的制备主要采用化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等技术。其中，CVD法被广泛应用于BN新型易切的制备，其生长过程如下： （1）在高温下将粉末堆置于化学反应器内，通过控制反应气体的流量和压力来制备高纯度的BN粉体。 （2）将BN粉体雾化，产生氮化硼原子和分子密度梯度，并通过扩散、扩散层上和扩散层内三个阶段的过程将其沉积在刀具表面上。 （3）通过控制反应参数（如反应温度、反应压力、流量等）和加工参数（如氧化锡压力、加热时间等），来获得不同性能的BN新型易切。 BN新型易切在切削加工中具有显著优势，可以大大提高生产效率和加工质量。例如，由于其硬度高、耐磨性好，可以在高速、高温、高压下稳定运行，从而提高加工精度和效率。此外，由于其化学稳定性好，可以在复杂的化学环境下进行切削加工，避免因化学反应而导致的切削加工质量降低。