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- 2023-06-04 发布于四川
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本发明提供一种薄膜层厚度的测量方法，薄膜层形成在基底上，方法包括如下步骤：提供基准参数，基准参数是在基底上形成薄膜层之前对基底采用X射线光电子能谱分析而获得的特定元素的特征峰数据；对薄膜层采用X射线光电子能谱分析，以获得特定元素的特征峰数据，作为测量数据；建立测量数据与基准参数的函数；提供数据库，数据库包括在基底上形成薄膜层前后的特定元素的特征峰数据的函数与薄膜层厚度的对应关系；以函数作为索引，在数据库中获得薄膜层的厚度。本发明测量方法能够在基底与薄膜层之间不具有明显界面的情况下，测量薄膜层的厚
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112697080 A
(43)申请公布日 2021.04.23
(21)申请号 202011482840.8
(22)申请日 2020.12.16
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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