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一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路.pdfVIP

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  • 2023-06-04 发布于四川
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一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路.pdf

    本发明公开了一种针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路，属于半导体技术领域，包括一级控制IGBT和待测器件，所述待测器件的一端连接一级控制IGBT，一级控制IGBT的另一端连接负载电流源IL，还包括二级控制IGBT，二级控制IGBT的一端连接待测器件的另一端，二级控制IGBT的另一端连接负载电流源IL的另一端。本发明针对共漏极MOSFET模块的功率循环测试电路适用性强、能满足特殊器件类型的测试要求、可靠性高。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116203375 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310255684.9 (22)申请日 2023.03.16 (71)申请人 华电 （烟台）功率半导体技术研究院

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