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- 2023-06-05 发布于四川
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本申请涉及含有第一晶体管与第二晶体管配制于基板上的集成芯片。第一晶体管包括第一源极/漏极区与第二源极/漏极区于基板上,并包含第一通道结构直接位于第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。第一栅极配置于第一通道结构上,并位于第一气体间隔物结构与第二气体间隔物结构之间。第二晶体管包括第三源极/漏极区与第四源极/漏极区于基板上,并包含第二通道结构直接位于第三源极/漏极区与第四源极/漏极区之间。第二栅极配置于第二通道结构上,并位于第三气体间隔物结构与第四气体间隔物结构之间。集成芯片还包含高介电常数的介电间
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750825 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011169903.4
(22)申请日 2020.10.28
(30)优先权数据
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