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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置(100)具有：半导体衬底(1)；场效应晶体管(120)，其配置于半导体衬底(1)上，并且用于模拟电路，具备P型栅电极(7)；层间绝缘膜(8)，其配置于场效应晶体管(120)上；以及氢阻挡金属膜(10)，其在层间绝缘膜(8)上配置于P型栅电极(7)的上方附近，对氢进行阻挡。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750892 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011170199.4 H01L 21/336 (2006.01)
(22)申请日
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