原创力文档- 1
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- 2023-06-05 发布于四川
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提供一种半导体晶圆的制程方法。该方法包括将一制程气体供应至含有一半导体晶圆的一蚀刻腔室中。该方法亦包括侦测该蚀刻腔室中的一压力。该方法进一步包括通过根据由压力感测器产生的与该蚀刻腔室中的一压力有关的一数据调整一阀的一开启比例来调节来自该蚀刻腔室的一废气流。另外，该方法包括基于该阀的该开启比例来判定一蚀刻终点。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750697 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011033748.3
(22)申请日 2020.09.27
(30)优先权数据
62/927,29
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