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3D存储器件的编程方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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3D存储器件的编程方法.pdf

    本申请公开了一种3D存储器件的编程方法，包括：预充电阶段，经由源极线提供预充电压以提高多个存储晶体管的沟道区电压；以及编程阶段，在多个存储晶体管中的选定存储晶体管的栅极导体上施加编程电压以写入数据，在多个存储晶体管中的未选定存储晶体管的栅极导体上施加导通电压以减小编程干扰，其中，多个存储晶体管中的未选定存储晶体管包括与选定存储晶体管紧邻的第一组存储晶体管，在预充电阶段，在第一组存储晶体管的栅极导体上施加预充电偏置电压以减小沟道区的电子浓度。该编程方法可以抑制选定存储晶体管的编程电压对未选定存储晶

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112700811 A (43)申请公布日 2021.04.23 (21)申请号 202110017380.X (22)申请日 2021.01.07 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司

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