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2023-06-05 发布于四川
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一种片内全集成电容失配校准电路.pdf

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本发明涉及一种片内全集成电容失配校准电路，设置在MDAC中，包括电容阵列、运算放大器和开关阵列，所述运算放大器的正端和负端之间跨接电容C0，运算放大器的输入正负端接有相同的电容阵列，且每个电容均由一个独立的开关连接至相应的输入直流点Vp/Vn/Vcm，运算放大器输入正端的电容阵列包括容值为2N×C0的电容、容值为C0/2m的校准电容和C1，满足：C1+C0/2m＝C0/2，其中N和m均为整数，N是当前量化级位数。本发明基于已有的第一级运算放大器和开关电容阵列，通过增加适当的校准电容并配合以数字使

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112737584 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202011638791.2 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人中国电子科技集团公司第十四

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