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半导体装置及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置及其形成方法.pdf

    本公开实施例涉及一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括：第一掺杂区，具有第一掺杂类型，设置在半导体衬底中。第二掺杂区具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型，设置在半导体衬底中且与第一掺杂区在侧向上间隔开。波导结构设置在半导体衬底中且在侧向上位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。光电探测器至少部分地设置在半导体衬底中且在侧向上位于第一掺杂区与第二掺杂区之间。波导结构被配置成将一个或多个光子引导到光电探测器中。光电探测器具有在光电探测器的相对的侧壁之间呈连续的弧形的上表面以及呈连续的弧形的下表面。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750847 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011161112.7 G02B 6/136 (2006.01) (22)申请日 2

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