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- 2023-06-05 发布于四川
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提供了一种三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置包括:第一半导体图案,第一半导体图案在基底上彼此竖直地分隔开,每个第一半导体图案包括彼此分隔开的第一端部和第二端部以及彼此分隔开以连接第一端部和第二端部的第一侧表面和第二侧表面;第一源/漏区和第二源/漏区,设置在每个第一半导体图案中并且分别与第一端部和第二端部相邻;沟道区,位于每个第一半导体图案中并且在第一源/漏区与第二源/漏区之间;第一字线,与第一侧表面和沟道区相邻并且竖直地延伸;以及栅极绝缘层,置于第一字线与第一侧表面之间。栅极绝缘层可
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750829 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202010801170.5
(22)申请日 2020.08.11
(30)优先权数据
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