原创力文档- 0
- 0
- 约2.66万字
- 约 23页
- 2023-06-05 发布于四川
- 举报
本文公开了一种半导体装置及其制造方法，包括形成穿过层间介电(interlayerdielectric,ILD)层的开口，以露出设置于金属化层中导电部件上方的接触蚀刻停止层(contactetchstoplayer,CESL)。使用光敏材料、微影技术及停止于CESL上的干式蚀刻制程来形成开口。一旦露出CESL，便进行CESL穿透制程以将开口延伸穿过CESL并露出导电部件。CESL穿透制程是一种CESL对ILD层具有高选择性的可调性的制程。一旦进行CESL穿透制程，可沉积导电填充材料以填充或
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750761 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011190458.X
(22)申请日 2020.10.30
(30)优先权数据
文档评论（0）