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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置.pdf

    公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括下结构、上图案、堆叠结构、穿过堆叠结构的分隔结构、包括沟道层的竖直结构，其中，堆叠结构包括多个层间绝缘层和多个栅极层，下结构包括第一下图案和材料与第一下图案的材料不同的第二下图案，第一下图案包括位于第二下图案与沟道层之间的第一部分、从第一部分延伸到第二下图案与上图案之间的区域的第二部分以及从第一部分延伸到第二下图案与基底结构之间的区域的第三部分，并且第一下图案不朝向上图案的侧表面延伸。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750842 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011190809.7 (22)申请日 2020.10.30 (30)优先权数据 10-2019-0

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