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- 2023-06-05 发布于四川
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本公开涉及用于作为多步半导体制造工艺中的中间步骤的从半导体衬基板选择性去除钨(W)和/或氮化钛(TiN)的蚀刻组合物。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112752867 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 201980062902.9 (74)专利代理机构 北京博思佳知识产权代理有
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