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一种复合衬底、制备方法及半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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一种复合衬底、制备方法及半导体器件.pdf

    本发明提供一种复合衬底、制备方法及半导体器件，所述复合衬底包括：基底，所述基底上表面靠近中间位置形成一凹槽；SiO2层，所述SiO2层形成于所述基底上表面且覆盖所述凹糟；其中，覆盖所述凹槽的SiO2层设有周期性排列的通孔；多个纳米柱，所述多个纳米柱同步形成于所述凹槽和所述SiO2层的通孔；其中，所述纳米柱的宽度小于所述SiO2层的孔径。本发明制备的复合衬底在凹槽内填充与SiO2层以及衬底的折射率具有差异的空气层，且形成的纳米柱侧壁与SiO2层通孔侧壁形成隔离带，从而提高出光效率、制得质量优良的复

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112736173 B (45)授权公告日 2021.06.29 (21)申请号 202110364992.6 H01L 33/00 (2010.01) (2

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