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- 2023-06-05 发布于四川
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本发明的半导体装置具备:衬底;多个第1配线层,在与衬底的表面交叉的第1方向积层,并包含多个导电构件;及第2配线层,比多个第1配线层离衬底更远,并包含焊垫电极。多个第1配线层分别具备从第1方向观察时与焊垫电极重叠的焊垫区域。在焊垫区域的以第1点为中点的第1假想圆的内侧区域,未设置导电构件。在焊垫区域的以第1点为中点且半径为第1假想圆的半径以上的第2假想圆的外侧区域,设置有以特定图案配置的导电构件、或配置在该整个区域的导电构件。如果将第1假想圆的半径设为R1,将第2假想圆的半径设为R2,那么R2/R
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750839 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202010776831.3
(22)申请日 2020.08.05
(30)优先权数据
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