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- 2023-06-05 发布于四川
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本公开提供一种半导体装置结构。半导体装置结构包括一第一鳍部结构及一第二鳍部结构,形成于一基底上方。半导体装置结构包括一第一栅极结构,形成于第一鳍部结构上方,且第一栅极结构包括一栅极介电层的第一部分及一填充层的第一部分。半导体装置结构还包括形成于第二鳍部结构上方的一第二栅极结构以及位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的一第一隔离密封层。第一隔离密封层直接接触栅极介电层的第一部分与填充层的第一部分。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112750817 A
(43)申请公布日 2021.05.04
(21)申请号 202011104493.5
(22)申请日 2020.10.15
(30)优先权数据
62/928,02
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