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半导体器件和方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体器件和方法.pdf

    本公开涉及半导体器件和方法。一种方法包括：在衬底上形成第一鳍和第二鳍；在所述第一鳍和所述第二鳍之上形成虚设栅极材料；使用第一蚀刻工艺蚀刻所述虚设栅极材料，以在所述第一鳍和所述第二鳍之间形成凹槽，其中，在所述第一蚀刻工艺期间，在所述凹槽的侧壁上形成牺牲材料；用绝缘材料填充所述凹槽；使用第二蚀刻工艺去除所述虚设栅极材料和所述牺牲材料；以及在所述第一鳍之上形成第一替换栅极并在所述第二鳍之上形成第二替换栅极，其中，所述第一替换栅极通过所述绝缘材料与所述第二替换栅极分隔开。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750772 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011172451.5 (22)申请日 2020.10.28 (30)优先权数据 62/927,32

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