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半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-05 发布于四川
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半导体装置及其制造方法.pdf

    本公开涉及一种半导体装置的制造方法以及一种半导体装置。本文描述全绕式栅极装置及其制造方法，此方法包含在基底上方形成多层结构，并在多层结构中形成复数个源极/漏极区。接着，通过相邻源极/漏极区将多层结构图案化为鳍。进行线释放工艺，以移除多层结构中的一层或多层材料。多层结构的剩下层形成与鳍的相邻源极/漏极区连接的纳米结构的堆叠物。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112750781 A (43)申请公布日 2021.05.04 (21)申请号 202011184084.0 (22)申请日 2020.10.29 (30)优先权数据 62/927,36

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