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本申请公开了一种刻蚀方法，包括：提供一衬底，衬底上包括至少一个单元区域，每个单元区域中形成有两个沟槽，每个单元区域内的两个沟槽之间的衬底上形成有栅氧；在衬底上形成多晶硅层，多晶硅层填充沟槽后形成DTI结构；通过光刻工艺在多晶硅层的目标区域覆盖光阻；在ICP设备中进行刻蚀，去除除目标区域以外其它区域的多晶硅层，在进行刻蚀的过程中，通过调节刻蚀参数使多晶硅层和其两侧的DTI结构的连接处的刻蚀形貌为弧形且没有锐角；去除光阻。本申请通过在对连接DTI结构的多晶硅层进行刻蚀的过程中，通过调节刻蚀参数使多晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 112736024 B
(45)授权公告日 2022.06.07
(21)申请号 202011540990.X (56)对比文件
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