制造半导体器件的方法.pdfVIP

制造半导体器件的方法.pdf

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本公开涉及一种制造半导体器件的方法。在抛光步骤之后，去除每个栅极电极的一部分，使得在横截面视图中，每个栅极电极的上表面与形成在位于栅极电极之间的栅极绝缘膜中的受损区域相比更靠近半导体衬底的主表面。因此，可以抑制在半导体器件的操作期间发生短路缺陷。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112736085 A (43)申请公布日 2021.04.30 (21)申请号 202011092134.2 (22)申请日 2020.10.13 (30)优先权数据

知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来，知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作，经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

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